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    碲锌镉单晶片

    发布日期:2017-11-23 发布人: 原创 浏览次数:8205
    碲锌镉单晶片
    厚度:900μm±50μm
    晶向:<111>±0.2°
    Zn值:4.5或10(±1%)
    平均位错腐蚀坑密度(EPD):≤5*10⁴cmˉ2
    双晶衍射半峰宽(FWHM)最大值:≤20arecsec
    红外透过率(4000-400CM-1)≥60%
    表面粗糙度(Ra):≤0.5nm
    总厚度变化(TTV)≤3μm
    夹杂尺寸:≤5μm
    无小角晶界及孪晶(X射线形貌相检测)

    详细描述

    CdZnTe晶体是一种极具工程意义和战略意义的功能材料,比如用CdZnTe制造的医学成像仪为病人检查身体时可拍摄出更加清晰的照片,同时,又可减少辐射。CdZnTe晶体还是制造性能优良的仪器、仪表的重要原材料。


    应用领域:

    它还被广泛用作红外探测器HgCdTe的外延衬底和室温核辐射探测器等,它具有优异的光电性能,可以在室温状态下直接将X射线和γ射线转光子变为电子,是迄今为止制造室温X射线及γ射线探测器最为理想的半导体材料。与硅和锗检波器相比,CdZnTe晶体是唯一能在室温状态下工作并且能处理两百万光子/(s·mm)的半导体。另外,CdZnTe晶体分光率胜过所有能买到的分光镜。CdZnTe探测器的诸多优点,使得它得到了越来越广泛的应用,核安全、环境监测、天体物理等领域均有应用。在科学研究方面,CdZnTe探测器在高能物理学方面有很大的应用前景,例如它可用于高能粒子的加速系统。化合物半导体探测器具有很大的竞争力,可以预料在粒子物理方面的应用会得到很大发展。此外,CdZnTe探测器在天文物理研究方面也具有广阔的应用前景。当前,CdZnTe探测器的研究是处于一个迅速发展阶段的很有意义的新课题。


    发展方向:

    当前,CdZnTe探测器两个重要发展方向是:多块大体积并行探测器和面元阵列探测器。前者由多块体积大于1cm的CdZnTe晶体阵列组成,这类探测器解决了单个探测器体积小,总探测效率低的缺点,大大缩短了测量时间,尤其适于便携式谱仪系统,可应用于环境、港口、铁路货物等的放射性监测。后者是由CdZnTe晶体面元阵列组成,主要应用于核医学、天体物理等领域的能谱成像。
    CdZnTe探测器的发展和使用,使获取高性能光子的高效探测器成为可能,随着高品质CdZnTe半导体晶体制备技术的不断提高,对载流子收集过程进一步深入理解和低噪声微电子学的迅速发展,CdZnTe探测器必将在更广泛的领域获得到应用。

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